Samsung приступает к массовому производству 3-х битной MLC NAND на 128 Гбит.

Корейский производитель электроники, компания Samsung Electronics, заявила о весомом событии, касающемся собственного технологического роста, а именно начале масштабного изготовления 3-х битной MLC NAND-памяти объема в 128 Гбит. В процессе создания данного вида памяти была использована современная технология 10-нм класса. Представленная компанией Samsung новинка, позволяющая обеспечить высокую емкость NAND в расчете на 1 ячейку памяти, должна быть высоко востребованной в разнообразных высокоплотных системах памяти. Например, в различного рода SSD-накопителях и всевозможных встраиваемых компонентах.

Как заявляет корейский производитель, пропускные возможности NAND-памяти должны составить четыреста мегабит в секунду, что на сегодняшний день очень даже неплохо. Что касается показателей емкости, то, если верить заявлениям вендора, - они самые большие среди всей индустрии данного рода продуктов.

Если говорить о том, в каких областях будет применяться новая разработка, то она найдет применение в увеличении оригинальных поставок 128 Гб картах памяти и SSD-накопителях повышенного объема. Помимо этого, анонсированная MLC NAND-память отличается поддержкой Toggle DDR версии 2.0.

Порекомендуйте эту статью своим друзьям:

Читайте также:

Rapoo выпустила комплект V100