Память нового поколения от Samsung.

Всемирно известный производитель электроники, Samsung, сообщил о старте серийного производства новых микросхем оперативной памяти DDR4, которые могут хранить 4 гигабита. Они будут выпускаться на базе технологий в 20 нанометров.

Память DDR относится к категории микросхем с двойной скоростью обмена данными, которую используют на компьютерах, как оперативное запоминающее устройство. Сама компания полагает, что DDR4 будет широко использоваться в первую очередь на серверах самого последнего поколения.

Используя новые микросхемы, у Samsung получилось создать платы SDRAM при емкости в 16 и 32 гигабайта. Этот показатель, по крайней мере, уже в два раза превосходит текущие модули с максимальным объемом на 8 гигабайт. Они производятся на 20-нанометровой технологии.

Если установить новые модули памяти на центрах хранения данных, их производительность значительно повысится, а расходы на использование электроэнергии снизятся. При сравнении с памятью текущего поколения DDR3 на технологии 20 нанометров с новой, у последней на 30% ниже использование электричества. Скорость обмена данными у новой памяти составляет 2667 мегабит на секунду (в 1,25 больше предыдущей версии).

Выход новой памяти в серийном производстве является следующим шагом компании по увеличению разнообразия своего ассортимента. Еще в 2008-м году корейцы показали миру новые микросхемы DDR3 с емкостью в 2 гигабита. Они были созданы на базе 50 нанометров. А уже в этом году началось производство DDR3 с объемом в 16 гигабайт.

Около месяца назад компания уже успела показать еще одно свое достижение. Она начала производить чипы флеш-карт памяти NAND с объемом в 16 гигабайт. Здесь впервые в мире используется технология по объемному структурированию ячеек. При этом, компания занимает первое место в мире по производству памяти для компьютеров.

Порекомендуйте эту статью своим друзьям:

Читайте также:

Rapoo выпустила комплект V100